Hyperion ermöglicht eine verbesserte Produktion von Siliziumkarbid-Wafern mit reduziertem CMP-Polieren

Der boomende Halbleitermarkt erfordert ständige Innovationen bei der Materialverarbeitung – insbesondere bei neuen Materialien wie Siliziumkarbid (SiC). SiC wird in der Leistungselektronik, der Beleuchtung und in RF-Geräten eingesetzt und zeichnet sich durch überlegene Eigenschaften wie eine längere Batterielebensdauer, einen geringeren Energieverbrauch und schnellere Schaltvorgänge aus. Diese Vorteile machen Siliziumkarbid zum aufsteigenden Stern unter den Halbleitermaterialien, was die Nachfrage nach SiC-Wafern sprunghaft ansteigen lässt. Aus diesem Grund stehen Hersteller von SiC-Wafern und Werkzeugen vor der dringenden Herausforderung, ihre SiC-Wafer-Produktionsprozesse und Materialabtragsmethoden kontinuierlich zu verfeinern, um das volle Potenzial dieses bahnbrechenden Materials zu erschließen.

Diamant ist ein beliebtes Material, um Absplitterungen oder Risse zu vermeiden, und wird zur Bearbeitung von SiC in verschiedenen Schritten des Wafer-Produktionsprozesses verwendet. Ein kritischer Schritt am Ende des Prozesses, bei dem oft kein Diamant verwendet wird, ist das chemisch-mechanische Polieren (CMP). Dieser entscheidende Schritt entfernt mögliche Oberflächenfehler im SiC-Wafer. Es handelt sich jedoch um einen sehr zeitkritischen Schritt und stellt oft einen Engpass dar, der sich auf die Effizienz auswirkt.

Dieser Artikel beschreibt, wie Hyperion Materials & Technologies einen neuen Schlamm mit Hyperion®-Diamanten im Submikronbereich entwickelt hat, um die letzte CMP-Stufe zu verkürzen. So können Wafer, die auf das epitaktische Wachstum vorbereitet sind („epi-ready“) und eine ausgezeichnete Oberflächenbeschaffenheit aufweisen, effizient hergestellt werden, während gleichzeitig Zeit und Geld gespart wird. Hyperion stellt Labor- und Testergebnisse für diese neue Lösung sowie ihre Fähigkeit zur Verfügung, die Verarbeitung von SiC-Wafern zu verbessern.

Laden Sie die Tech Note herunter und erfahren Sie mehr darüber, wie der Hyperion Submikron-Schlamm dazu beitragen kann, die letzte CMP-Polierphase zu reduzieren, um effiziente, hochwertige SiC-Wafer („epi-ready“) zu entwickeln.