海博锐通过减少CMP抛光来提高碳化硅晶片的产量

蓬勃发展的半导体市场要求在材料加工方面不断创新,尤其是碳化硅(SiC)等新兴材料。碳化硅用于电力电子、照明和射频设备,具有延长电池寿命、降低能耗和加快开关速度等优越性能。这些优势使碳化硅成为半导体材料中冉冉升起的新星,推动了对碳化硅晶圆需求的激增。因此,碳化硅晶圆和工具制造商面临着一个紧迫的挑战,即不断改进其碳化硅晶圆生产工艺和材料去除方法,以充分释放这种改变行业规则的新兴材料的潜力。

在晶片生产过程的各个步骤中,为避免出现碎裂或开裂,金刚石是用于加工碳化硅的一种常用材料。在这个过程的最后一个关键步骤是化学机械抛光(CMP)阶段,通常不使用金刚石。这一关键步骤可去除碳化硅晶圆中可能存在的表面缺陷。然而,这一步对时间非常敏感,往往成为影响产出效率的瓶颈。

本文讨论了海博锐材料科技如何利用亚微米级Hyperion™金刚石开发出一种新型研磨液,以减少最后的CMP抛光阶段,从而在节省时间和成本的同时,高效生产出表面光洁度极佳的外延晶圆。海博锐提供了这一全新解决方案的实验室和测试结果,以及其增强碳化硅晶圆加工的能力。

请下载技术文章,进一步了解海博锐亚微米研磨液如何帮助减少最后的CMP抛光阶段,从而开发出高效、高质量的外延晶圆。

金刚石